Дизайн-центр микроэлектроники

Наши компетенции

► Разработка СВЧ МИС на основе собственных моделей активных и пассивных элементов по технологиям
0.5 μm Switch pHEMT, 0.15 μm Power pHEMT, 0.25 μm Power pHEMT, QPIN, QSBD и QZBD.

► Разработка МИС на основе технологических процессов зару­бежных предприятий-производителей МИС. 

Мы предлагаем

Помощь в формировании ТЗ	Моделирование	Прорисовка топологии
Электромагнитный  анализ топологии	Измерения и испытания	Техническая поддержка

Мы разрабатываем различные типы СВЧ-устройств

— Усилители
— Многофункциональные схемы
— Аттенюаторы
— Коммутаторы
— Фазовращатели
— Ограничители
— Смесители
— Умножители частот
— Детекторы
— Пассивные устройства

Технологии

GaAs — 0,15; 0,25; 0,5 мкм pHEMT
QZBD — на основе вертикально-интегрированных низкобарьерных диодов
QSBD — на основе вертикально-интегрированных диодов с барьером Шоттки
QPIN — на основе вертикально-интегрированных PIN-диодов

Узнайте больше о возможностях дизайн-центра, готовых изделиях и их покупке: 

тел. +7 3822 90-00-29 доб. 2442
e-mail: chip@micran.ru

Скачать буклет "Дизайн-центр СВЧ-микроэлектроники"