Изготовление монолитных интегральных схем

Компания «Микран» готова предложить услуги по изготовлению коммутаци­онных, усилительных и диодных монолитных интегральных схем на заказ. На сегодняшний день компанией промышленно освоена и отработана тех­нология производства монолитных интегральных схем на арсениде гал­лия (GaAs). В стадии оптимизации находится технология на основе нитри­да галлия (GaN).

Ключевые параметры

— Топологическая норма 0,5 и 0,25 мкм pHEMT.
— Уникальные для России технологии QSBD, QZBD, QPIN.
— Диапазон частот DC…50 ГГц.
— Диаметр пластин до 100 мм.
— Производительность до 30 пластин в месяц.
— Возможен как индивидуальный запуск, так и MPW-запуск.

GaAs pHEMT Технология изготовления коммутационных, усилительных и смесительных МИС с топологической нормой 0,5 и 0,25 мкм на основе псевдоморфных полевых транзисторов.

QSBD Технология изготовления МИС с вертикально интегрированным GaAs ди­одом с барьером Шоттки. Применяется для разработки и изготовления пассивных устройств, таких как ограничители, смесители, умножители ча­стоты, детекторы.

QZBD Технология изготовления МИС с вертикально интегрированным GaAs низкобарьерным диодом. Процесс применим для сверхширокополосных устройств, смесителей и детекторов мощности с широким динамическим диапазоном без постоянного смещения.

QPIN Технология базируется на вертикально интегрированном GaAs PIN-диоде. Технология используется при разработке и изготовлении различных ти­пов пассивных устройств: коммутаторы, ограничители, аттенюаторы, фа­зовращатели.



Закажите и получите дополни­тельную информацию о нашей услуге по email: salesmicro@micran.ru